12寸晶圆片抛光用FO抛光粉-氧化铝氧化锆基半导体抛光粉
12寸晶圆片抛光用FO抛光粉-氧化铝氧化锆基半导体抛光粉
FO 抛光粉是氧化铝氧化锆复合基精密抛光微粉，对标经典 FUJIMI FO 系列，专为 12 寸硅晶圆衬底精磨、预抛光工序开发，是半导体晶圆加工的核心磨料原料。产品融合氧化铝高切削效率与氧化锆优异韧性、自锐特性，硬度适中，兼顾去除速率与低划伤优势，规避单一氧化铝磨料易产生亚表面损伤的痛点，适配大尺寸晶圆对均匀性、良率的严苛要求。
本产品严格管控铁、钠等重金属杂质，大颗粒经过多级分级卡断处理，粒径分布窄，颗粒形态稳定，可直接调配成水性抛光浆料，用于 12 寸硅片粗抛后、精抛前的中间整平工序，高效消除前道研磨残留划痕、起伏与损伤层，让晶圆全局平整度趋于一致，为后续 CMP 精抛、光刻工序打好基础。
除 12 寸硅晶圆外，FO 抛光粉同样适配砷化镓、磷化镓等化合物半导体衬底、光学晶体、压电陶瓷的精密研磨抛光。批次稳定性强，每批次提供粒度、纯度检测报告，支持多粒度规格定制（1000#、1200#、1500#、2000# 等），可满足半导体工厂连续量产需求，是晶圆抛光国产化替代主流选择。
郑州市海旭磨料有限公司生产和销售的FO抛光粉参数如下：
化学成分/物理特性
产品类型 | 颗粒尺寸 | 比重(g/cm3) | 化学成分（%） | ||||
Al2O3 | SiO2 | Fe2O3 | TiO2 | ZrO2 | |||
FO | #240-#400 | ≥3.90 | ≥45.0 | ≤20.0 | ≤0.5 | ≤2.0 | ≤38.0 |
#500-#1200 | ≥3.90 | ≥45.0 | ≤20.0 | ≤0.5 | ≤2.0 | ≤33.0 | |
#1500-#4000 | ≥3.90 | ≥40.5 | ≤20.0 | ≤0.7 | ≤2.0 | ≤33.0 | |
粒度分布标准
粒度 | D0 | D3 | D50 | D94 |
#240 | ≤98.0 | ≤74.0 | 40.0±3.0 | ≥26.0 |
#280 | ≤86.0 | ≤66.0 | 34.0±2.5 | ≥21.0 |
#320 | ≤75.0 | ≤58.0 | 28.0±2.3 | ≥17.0 |
#400 | ≤63.0 | ≤50.0 | 23.0±2.1 | ≥14.0 |
#500 | ≤53.0 | ≤43.0 | 19.0±1.6 | ≥12.0 |
#600 | ≤45.0 | ≤37.0 | 16.0±1.3 | ≥10.0 |
#700 | ≤38.0 | ≤31.0 | 13.5±1.1 | ≥8.0 |
#800 | ≤32.0 | ≤27.0 | 11.3±0.9 | ≥6.5 |
#1000 | ≤27.0 | ≤23.0 | 9.4±0.8 | ≥5.0 |
#1200 | ≤23.0 | ≤20.0 | 7.1±0.7 | ≥4.0 |
#1500 | ≤19.0 | ≤17.0 | 5.5±0.5 | ≥3.0 |
#2000 | ≤15.0 | ≤14.0 | 4.5±0.4 | ≥2.0 |
#3000 | ≤12.0 | ≤11.0 | 3.6±0.4 | ≥1.5 |
#4000 | ≤10.0 | ≤8.0 | 2.7±0.4 | ≥1.3 |
主要用途
--半导体晶片晶圆的研磨抛光
--各类光学玻璃的表面精加工
--光学晶体的透镜，棱镜，面镜，滤镜等研磨抛光
--压电材料的表面精加工
